湖南大学/中国科学院物理研究所：铁电栅控的ReS非易失存储器在过去的几十年里，为了满足大数据、物联网、云计算和人工智能等数据存储的爆炸式增长，速度更快、密度更高、能耗更低的非易失性存储被广泛研究，包括相变存储器、自旋转移矩随机存储器、阻变随机存储器、磁随机存储器、铁电随机存储器和铁电场效应晶体管存储器等。铁电随机存取存储器(FeRAM)和铁电场效应晶体管(FeFET)存储器具有运行速度快、耐用性强、功耗低等优点，受到了研究者的普遍关注。

而铁电场效应晶体管可以通过读取有源通道电导实现数据的非破坏性读取，另外存储器单元仅由1个晶体管组成，从而具有更高的集成密度。然而，由于铁电栅介质叠层中存在退极化场以及铁电介质与沟道之间的严重的界面问题，铁电场效应晶体管存储器呈现短的数据保持时间和有限的数据耐久性。

1、在使用场 效应管作为高放时应注意哪些参数

I .极限参数所谓极限参数，是指晶体管工作时，无论什么原因都不允许超过的参数。这些参数一般包括三个击穿电压(BV)、最大集电极电流(Icm)、最大集电极耗散功率(Pcm)、晶体管的工作环境(包括温度、湿度、电磁场、大气压等。)，以及储存条件。在民用电子产品的应用中，我们只关心前三种。1.晶体管反向击穿电压的定义:在被测PN结两端施加连续可调的反向DC电压，观察PN结的电流变化。当PN结反向电流急剧增加时，此时施加在PN结两端的电压就是PN结的反向击穿电压。

2、选用场 效应管时应注意哪些事项

，极限参数所谓极限参数，是指允许超过参数的各种晶体管工作管。规定了一些参数，如击穿电压(BV)、集电极电流(Icm)、集电极耗散功率(Pcm)、晶体管工作环境(包括温度、湿度、电磁场、气压等。)、储存条件等。晶体管反向击穿电压的定义:测量PN结两端连续调节的反向DC电压，观察PN结电流的变化。PN结的反向电流现在急剧增加。PN结反向击穿电压每个晶体管有三个反向击穿电压:基极路集电极发射极反向击穿电压(BVceo)，发射极路集电极基极反向击穿电压(BVcbo)集电极路基发射极反向击穿电压电参数工程设计指导意义:确定晶体管工作电压范围取决于电参数特性。晶体管工作击穿状态已知。非危险设计为晶体管工作电压范围留有足够的余量。实际的晶体管工作电压(晶体管测量值的60%)现在低了一个数量级。有关信息，请参考“电气部件的降额标准”。入库检查发现，部分品种的反向击穿电压实测值比规范规定的值要重要得多。晶体管制造工艺和我见过的一些完整的晶体管是两个部分:芯片制造和封装工程。定制芯片制造统称为前期封装业和前期生产。

3、场 效应管跟晶体管有什么区别,应用时应该注意哪些

field 效应电子管和三极管属于晶体管。这里的晶体管应该特指三极管，三极管控制电流，field 效应 tube以电压控制电流，场效应晶体管和晶体管都具有放大效应，但它们放大的微观机制不同。field 效应晶体管属于电压控制型，晶体管属于电流放大型，场效应晶体管技术上比晶体管好。field 效应晶体管是电压控制器件，输入不需要信号电流，所以是大部分载流子工作的器件。